2017跨考清华微电子：初复试真题及面试回忆

内部情况
　　这部分可能是大家最关心的部分，我只讲具体情况，希望下一届的同学们做出正确的决定。如果希望自己一年的努力不白费的话，你必须要具备一个能力，即基本准确的预测明年的趋势及对自己的能力有清楚的认识。反正选择大于努力，选错了你就算是再努力也许也得不到你所想要的回报，当然努力一定有回报。研途宝清华考研网

　　2014年微电子学术型录取了3个，至于进入复试多少分不知道，学术型初试有831考半导体物理，器件，模拟集成和数字集成，初试和复试笔试和招生目录上是一样的。面试的时候，据面试学术型的同学说法，问的东西也有很多来自这几本书，当然也不全是。还有828信号系统，这个是电子系出的题目，大部分同学专业课集中在60～90分之间，当然这个并不十分准确，复试笔试考的数字集成和电子线路，有少量半导体题目，尽量避免选这个吧!

　　工程的录取线320，只要上线基本都录取了，初试考得是高文焕的电子线路，尼曼的半导体物理器件，和阎石的数字电路。

　　来说说考工程同学们关心的问题。首先是去深圳的问题。老师的说的原话是学校让去一年，微电子所目前为止是去半年。选导师是在开学后选，所以你也不用绞尽脑汁考虑在复试前联系导师。关于读博，老师的意思是如果不是直博你别想在清华读博士，老师不会考虑留名额给你考，实在要读可以出国，有个去鲁文大学交换的机会，毕业给发两个证。至于就业以及工程硕士培养，按老师的说法，这是不存在问题的，每个学校都是一个老师带一个学术几个专硕做同样的项目，你想有区别都难。

　　有些可能会关心是否有去企业做项目，就是学习在企业里面那种，老师的回答是，如果你喜欢可以去。这就是那次开招生咨询会所透露出的信息，很多师弟师妹们跑去听，其实他们能知道也就这么多。

　　▶初试题目回忆
　　一、半导体器件、电子线路和数字电子技术
　　第一题：半导体物理和器件的几个判断题，很简单都是基本概念，只要认真学习，不会错，比如PN结参杂浓度高的一边耗尽区的宽度大等；
　　第二题：解释半导体，金属及绝缘体的导电特性及其原理；
　　第三题：一个NN+结，画出它的能带图和载流子分布图，计算它的接触电势；
　　第四题：一个BJT三极管，计算考虑禁带变窄效应时的发射集注入效率，计算集电极电流及只有一个电压点Vcb计算Va,不考虑禁带变窄效应时计算那三个系数；
　　第五题：是个很简单的MOS管的计算。

　　二、模电部分：
　　第一题：填空题，基本概念，这部分要对很多细节很清楚，要不然不好做，比如考了理想集成运放的指标，自激振荡条件等;
　　第二题：给你1KHZ，100KHZ的两个左边极点，和一个10KHZ的零点分别在复平面的左边和右边，分别画它的幅频特性和相频特性，还有相位裕度，这个题目很多人没做出来，这个可以参考信号系统上面的，画出来其实是个带阻滤波器，它们一个相位，一个是最小相位，幅频特性一样，相频特性不同而已;
　　第三题：一个共源共栅电路，有很多耦合电容，分别计算它的输入电阻，放大倍数，带宽增益积，还有判断两个管子工作在什么状态。最后一个问题我忘记答了，好像是计算输出电压摆幅什么的，这个比较难些，需要你很熟练那些管的基本计算;
　　第四题：是个集成运放的，前面几道问很简单，就问各个运放工作在什么区，组成什么电路，后面计算一下个运放输出电压；后面两问比较难些，其中一问其实电路可以在高频情况下忽略一个电阻从而变成一个积分电路，但是当时没想到，最后一问根本看不懂。

　　数字电路跟往年考得基本差不多，不难，但是希望别轻视，万一明年把难点放在数电也不是没可能，没有什么东西是一成不变的，所以别迷信经验就好。

　　▶复试笔试
　　第一题：半导体N、P型的参杂元素是什么，以及主要载流子和多子的表达式；
　　第二题：一个电流源做负载的共漏极放大电路考虑沟道长度调制效应和体效应，画小小信号电路，计算电压放大倍数；
　　第三题：一个低通滤波器，计算传输函数，画幅频和相频特性，问电路的功能是什么；
　　第四题：一个漏极有电阻，源极有电流源的电路，电流告诉了，计算几个点电压，比较简单；最后一问稍微难点，如果考虑沟道长度调剂效应，则源端点电压变化情况。
　　还有两道想不起来了。
　　最后三道大题是数字集成电路上面的。
　　第七题：画互补CMOS电路，计算和反相器有相同的输出电阻时各管的尺寸；
　　第八题：计算组合逻辑电路传输延时最小时各门的相对尺寸；
　　第九题：也是一个组合逻辑跟传输延时有关的题目，不过这道题我不怎么会答。

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