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828半导体物理 一、考试基本内容 1、晶体结构(熟悉常见三种半导体的晶体结构和特点)和半导体的结合性质,理解带隙、导带、价带的概念,掌握倒格子和布里渊区的概念,熟悉常见半导体能带结构的特点。 2、半导体中电子状态:掌握电子、空穴有效质量的概念、意义,了解回旋共振测量半导体电子有效质量的原理。了解半导体中的杂质、缺陷种类和特点。重掺杂效应、杂质结合能、杂质种类。 3、热平衡状态下的载流子统计分布:几种常见分布函数、态密度的概念,费米能级的概念,热平衡状态下本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体。 4、半导体的导电性:载流子漂移运动、迁移率的概念、半导体中主要的散射机构。半导体的电导率与温度、杂质浓度的变化关系,强电场效应、热载流子、能谷间散射、负阻效应及典型器件应用。 5、平衡载流子:非平衡载流子的注入与复合、载流子寿命、准费米能级、扩散运动、爱因斯坦关系,复合理论、陷阱效应,连续性方程。 6、Pn结的能带、金属与半导体接触界面附件的能带图、异质结构的能带;整流理论,欧姆接触、异质结构的种类及特点(与同质结相比)。了解半导体中常见的热、压阻、光、磁等效应。 二、试题结构 1、考试方式为闭卷笔试。考试时间为3小时。满分150分。 2、试题结构:选择体30分左右;名词解释40分;简述题30分左右;计算题及推导证明50分左右。
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